10月16日及18日,2018三菱电机功率模块技术研讨会二巡分别在南京景枫万豪酒店和武汉富力威斯汀酒店顺利落幕。

在清华大学电机系赵争鸣教授的精彩演讲中,本次研讨会专题内容正式开始。与以往不同的是,赵教授的此番演讲不再只是分析行业宏观发展,还带领现场观众落地实际,进一步聚焦用与时俱进的研究方法来适应瞬息万变的电力电子发展环境。比如,原来采用的连续的大时间尺度电磁暂态过渡过程分析方法就难以适应电力电子混杂系统。

基于该问题,赵教授在接下来的内容中,便详细介绍了电磁能量脉冲传递规律、器件组合相互作用规律、短时间尺度的主动控制以及仿真能量平衡控制等相关要点。最后,他还引用一个基于能量平衡综合控制策略的仿真案例做辅助,将之前介绍的几项关键点融于其中,帮助来宾更好地理解原本略显晦涩的知识点。

众所周知,从事研究和开发功率半导体有60年历史的三菱电机,已为市场输出了众多高科技产品。尤其在近年来大热的SiC器件研究领域,三菱电机也一直堪称敢为人先。在本届研讨会上,功率器件制作所应用技术部部长山田顺治先生,就针对SiC芯片技术、最新封装技术以及相关应用等问题,展开详细的剖析解答。

从晶圆制造到模块生产,从低压到高压,山田部长层层剥茧式的演讲方式深受观众好评。他介绍到,与传统Si-IGBT模块相比, SiC功率模块最主要优势是开关损耗大幅减小。对于特定逆变器应用,这种优势可以减小逆变器尺寸,提高逆变器效率及增加开关频率。同时,他还将SiC和GaN两种宽禁带功率芯片进行对比,进一步阐明SiC功率芯片对高电压和高功率应用具有独特的优越性。

山田部长还特别提到,三菱电机内置SBD的SiC MOSFET芯片,相比采用独立SBD芯片的功率模块,可以大幅缩小内部功率芯片的面积,从而实现高压SiC MOSFET模块的高功率密度设计,同时这种SiC MOSFET的结构完全能够避免由堆垛层错扩展引起的双极退化效应,应用前景可观。

三菱电机是将SiC技术应用于功率模块的先驱之一,其SiC功率模块产品线涵盖额定电流15A~1200A及额定电压600V~3300V,目前均可提供样品。

除此之外,三菱电机半导体大中国区的工程师团队也带来了精彩的产品及应用介绍,以至于在会后的互动环节,许多来宾仍求知欲高涨,纷纷踊跃提问,从理论知识到实践应用,问题内容十分丰富!而三菱电机半导体的工程师们也是见招拆招,果然专业技术人员之间的切磋都是这么的有质量啊!

作为即将步入百年的老牌跨国企业,三菱电机始终相信,唯有在精进技艺的基础上,实时了解业界动态和用户痛点,才是经久不衰的不二法门。在未来的日子里,三菱电机还将继续保持畅通交流的渠道,以期为市场提供更多更好的产品和服务